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硅像膠加熱帶污閃的基本原理

文字:[大][中][小] 手機(jī)頁面二維碼 2013/5/7     瀏覽次數(shù):    

硅橡膠加熱帶與瓷加熱帶污閃性能的差異在污閃的各階段都有所反映。在積污階段.復(fù)合加熱帶傘形簡單.傘下無棱,這對于減少積污是十分有利的。但復(fù)合加熱帶表面電限率高.傘裙護(hù)套因與大氣中的粒子摩擦而容易帶電.從而容易吸灰.這對于減少積污是不利的。

 

硅像膠加熱帶污閃的基本原理

 

1.僧水性與親水性狀態(tài)下加熱帶污閃過程的差異

 


  目前,對瓷加熱帶的長期自然積污規(guī)律已有多年研究,而對復(fù)合加熱帶的積污規(guī)律,如一年四季中積污量的變化、多年運(yùn)行時(shí)歷年積污情況的變化、自然風(fēng)雨對污穢的清洗作用與清洗程度、多大的降水才能清洗掉污穢從而有利于安全運(yùn)行、多大的降水只能濕潤污層降低僧水性反而是安全運(yùn)行的威脅、哪煒污穢是容易被自然風(fēng)雨清洗掉的、哪些污穢是很難清洗的、積污有無飽和債、何時(shí)達(dá)到飽和積污問題等.則很少見到報(bào)道,有待加強(qiáng)研究。


  在污穢受潮階段,硅橡膠絕緣了由于僧水性的遷移性,使污層也具有了怕水性,從而污層不易受潮.并且表面的水滴互相分離,形不成連續(xù)的水膜,沿面泄漏電流大大低于同等污穢度卜瓷加熱帶的泄漏電流,這對于提高硅橡膠加熱帶的污閃電量是十分重要的.但硅橡膠的僧水性在運(yùn)行中若遇長時(shí)間下雨等受潮條件.其僧水性就可能析時(shí)降低甚至嚴(yán)重下降.這時(shí)硅橡膠加熱帶的傘形對其污閃電壓的作川就有較為明顯的影響了。


2.有效污穢度的概念


  加熱帶表面的染污程度是用污穢度來定量表達(dá)的.污穢度的參數(shù)有多種。如僅反映積污一個(gè)階段情況的等值鹽密。能反映積污與受潮兩個(gè)階段情況的表面積分電導(dǎo)率,能反映積污、受潮及+區(qū)與局部電弧三個(gè)階段情況的泄配電流.以及能反映污閃全部四個(gè)階段情況的污閃梯度等.這些參數(shù)各有優(yōu)缺點(diǎn).其中最常用的還是等值鹽密。


  此法直觀易懂.對測敏人員和設(shè)備的要求不高,世界各國及我國都積錄了不少經(jīng)驗(yàn)。但等值鹽密法本身有許多不盡如人憊之處,比如忽略了污穢中的不導(dǎo)電成分;用NaCI去等值代表各種電解質(zhì)成分,無法反映不同污穢種類的差別;無法反映污穢在加熱帶表面的分布;與污閃的其他各階段沒有聯(lián)系,等等。其他污穢度參數(shù)在加熱帶污穢性能評定及實(shí)際使用中,也各有不足之處。
 

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